55納米BCD工藝是一種廣泛應(yīng)用于功率管理集成電路（Power Management IC，簡稱PMIC）和汽車電子領(lǐng)域的工藝。
BCD代表的是Bipolar－CMOS－DMOS的縮寫，這種工藝結(jié)合了三個(gè)不同類型的晶體管，即同質(zhì)結(jié)雙極晶體管（Bipolar）、互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（CMOS）和雙極型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（DMOS），以實(shí)現(xiàn)高性能的集成電路設(shè)計(jì)。
55納米BCD工藝具有低漏電流、低電阻、高噪聲抑制和較小的體積等優(yōu)點(diǎn)，能夠滿足高效、高速、高穩(wěn)定性和高可靠性等要求，特別適用于大功率、高電壓和高頻率的電路設(shè)計(jì)，如電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、RF收發(fā)器、驅(qū)動(dòng)芯片等。在汽車電子領(lǐng)域中，55納米BCD工藝也被廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載娛樂和安全系統(tǒng)、傳感器信號(hào)處理等方面。
