多孔真空硅的發(fā)光壽命短主要有以下幾個原因：

1. 缺陷引起的非輻射復(fù)合：多孔真空硅制備過程中，常常會引入各種缺陷，如晶格缺陷、表面缺陷等。

這些缺陷會導(dǎo)致電子和空穴在非輻射復(fù)合的情況下重新結(jié)合，而不是通過輻射復(fù)合發(fā)光。非輻射復(fù)合會導(dǎo)致發(fā)光效率降低，從而減少發(fā)光壽命。

2. 器件表面復(fù)合：在多孔真空硅表面，由于硅表面的化學(xué)性質(zhì)和表面態(tài)的存在，會引起電子和空穴在器件表面非輻射復(fù)合。與缺陷引起的非輻射復(fù)合類似，器件表面復(fù)合也會降低發(fā)光效率和發(fā)光壽命。

3. 缺乏有效的光子限制結(jié)構(gòu)：多孔真空硅中的光子限制結(jié)構(gòu)較弱，光子在其中傳播的路徑較長，易于擴散出去，導(dǎo)致發(fā)光強度減弱。在較長的傳播路徑上，光子與缺陷等相互作用的機會增加，進一步影響發(fā)光壽命。綜上所述，多孔真空硅發(fā)光壽命短主要是由缺陷引起的非輻射復(fù)合、器件表面復(fù)合以及缺乏有效的光子限制結(jié)構(gòu)等原因?qū)е碌?。為了提高多孔真空硅的發(fā)光壽命，需要進一步優(yōu)化材料制備過程，減少缺陷引入，并設(shè)計合適的光子限制結(jié)構(gòu)，降低電子和空穴的非輻射復(fù)合效應(yīng)。