1制作晶圓。

使用晶圓切片機(jī)將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。

2晶圓涂膜。在晶圓表面涂上光阻薄膜，該薄膜能提升晶圓的抗氧化以及耐溫能力。

3晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過(guò)光罩和凸透鏡后照射到晶圓涂膜上，使其軟化，然后使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來(lái)。

4離子注入。使用刻蝕機(jī)在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，并注入離子，形成PN結(jié)（邏輯閘門(mén)）；然后通過(guò)化學(xué)和物理氣象沉淀做出上層金屬連接電路。

5晶圓測(cè)試。經(jīng)過(guò)上面的幾道工藝之后，晶圓上會(huì)形成一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過(guò)針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。由于每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是非常龐大的，完成一次針測(cè)試是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，這要求在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格的大批量生產(chǎn)，畢竟數(shù)量越大相對(duì)成本就會(huì)越低。

6封裝。將制造完成的晶圓固定，綁定引腳，然后根據(jù)用戶(hù)的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場(chǎng)形式等外在因素采用各種不同的封裝形式；同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式，比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。