1制作晶圓。

使用晶圓切片機(jī)將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。

2晶圓涂膜。在晶圓表面涂上光阻薄膜，該薄膜能提升晶圓的抗氧化以及耐溫能力。

3晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過光罩和凸透鏡后照射到晶圓涂膜上，使其軟化，然后使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來。

4離子注入。使用刻蝕機(jī)在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，并注入離子，形成PN結(jié)（邏輯閘門）；然后通過化學(xué)和物理氣象沉淀做出上層金屬連接電路。

5晶圓測試。經(jīng)過上面的幾道工藝之后，晶圓上會形成一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進(jìn)行電氣特性檢測。由于每個芯片的擁有的晶粒數(shù)量是非常龐大的，完成一次針測試是一個非常復(fù)雜的過程，這要求在生產(chǎn)的時候盡量是同等芯片規(guī)格的大批量生產(chǎn)，畢竟數(shù)量越大相對成本就會越低。

6封裝。將制造完成的晶圓固定，綁定引腳，然后根據(jù)用戶的應(yīng)用習(xí)慣、應(yīng)用環(huán)境、市場形式等外在因素采用各種不同的封裝形式；同種芯片內(nèi)核可以有不同的封裝形式，比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。