【擴散工藝Diffusion Process】半導體擴散工藝,生產中的擴散指工藝所需要的雜質在一定條件下對硅(或其他襯底)的摻雜。
如在硅中摻磷、硼等。廣義上講,氧化與退火也是一種擴散;前者指氧氣在SiO2中的擴散,后者指雜質在硅(或其他襯底)中的擴散。其目的是為了改變原材料的電學特性或化學特性?!颈∧すに嘑ilm Process】半導體薄膜工藝,生產中的薄膜指通過蒸鍍、濺射、沉積等工藝將所需物質鋪蓋在基片的表層,根據其過程的氣相變化特性,可分為PVD與CVD兩大類?!竟饪坦に?Litho Process】半導體光刻工藝,通過一系列生產步驟(主要包含涂膠,曝光,顯影),將晶圓表面的薄膜與光刻板中的圖形做相同動作的選擇性的顯開或遮蔽。而光刻機的圖形轉移能力(最小線寬)是整條工藝線的重要指標,這與設計時可做的集成度大小有直接關聯(lián)。【刻蝕工藝Etch Process】半導體刻蝕工藝,實際上就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。在半導體制程中,刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法,在光刻的基礎上有選擇地進行圖形的轉移。 刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕;濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學反應進行刻蝕。