晶圓生產(chǎn)：包含硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型三個(gè)步驟，目前國際主流是8英寸晶圓，部分晶圓廠12英寸產(chǎn)線逐步投產(chǎn)，晶圓尺寸越大，良品率越高，最終生產(chǎn)的單個(gè)器件成本越低，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力越大芯片設(shè)計(jì)：IGBT制造的前期關(guān)鍵流程，目前主流的商業(yè)化產(chǎn)品基于Trench-FS設(shè)計(jì)，不同廠家設(shè)計(jì)的IGBT芯片特點(diǎn)不同，表現(xiàn)在性能上有一定差異芯片制造：芯片制造高度依賴產(chǎn)線設(shè)備和工藝，全球能制造出頂尖光刻機(jī)的廠商不足五家；要把先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)在工藝上實(shí)現(xiàn)有非常大的難度，尤其是薄片工藝和背面工藝，目前這方面國內(nèi)還有一些差距器件封裝：器件生產(chǎn)的后道工序，需要完整的封裝產(chǎn)線，核心設(shè)備依賴進(jìn)口。

IGBT為垂直導(dǎo)電大功率器件，IGBT晶圓厚度決定了其器件的耐壓水平。由于IGBT晶圓原材料厚度較厚，只適用于生產(chǎn)高壓IGBT芯片，對(duì)于中低壓IGBT芯片，需要使用減薄工藝對(duì)IGBT晶圓進(jìn)行減薄。減薄工藝是使用帶有一定大小顆粒的研磨輪對(duì)晶圓進(jìn)行研磨，研磨后會(huì)在晶圓表面產(chǎn)生凹凸不平的研磨紋，晶圓表層內(nèi)部結(jié)構(gòu)將會(huì)被破壞，產(chǎn)生大量暗紋、缺陷(損傷層)，這些暗紋和缺陷分布在晶圓表層一定的厚度內(nèi)，且分布不規(guī)則、不均勻。這些缺陷在IGBT芯片中會(huì)產(chǎn)生載流子復(fù)合中心，不均勻的缺陷分布會(huì)使IGBT芯片電學(xué)性能不穩(wěn)定，而且缺陷與暗紋會(huì)造成應(yīng)力，應(yīng)力會(huì)使減薄后的晶圓彎曲，翹曲度變大，給后續(xù)工藝帶來較大的困難。