延遲描述(CL)：CL反應(yīng)時(shí)間是衡定內(nèi)存的另一個(gè)標(biāo)志。

CL是CAS Latency的縮寫(xiě)，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。在早期的PC133內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中，這個(gè)數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強(qiáng)制要求CL的反應(yīng)時(shí)間必須為2，這樣在一定程度上，對(duì)于內(nèi)存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對(duì)較高，同時(shí)也保證了更優(yōu)秀的品質(zhì)。因此在選購(gòu)品牌內(nèi)存時(shí)，這是一個(gè)不可不察的因素。通常情況下，我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示一個(gè)內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來(lái)的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。