EEE專業(yè)輔導作業(yè)哪個機構好些?
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曼徹斯特大學EEE專業(yè)的EEEN10021電子材料課程單元旨在:介紹納米技術及其在當今社會中的重要性(例如在醫(yī)療保健、安全和能源方面的應用);介紹基本的材料物理學,解釋絕緣、半導體和金屬特性是如何在固體中產生的;解釋如何設計半導體(例如通過摻雜)使其在器件中表現(xiàn)出受控的電學和光學特性;描述關鍵半導體器件(如場效應晶體管)的基本構建模塊和操作。以下是課程解析。
一、主要內容
1、基礎材料科學:原子結構和基本粒子(質子、中子、電子和光子);固體的粘合和類型(如金屬、絕緣體和半導體);晶體結構、性質和雜質/缺陷;熱效應。
2、導電和導熱:德魯?shù)履P?金屬和傳導,聲子概念);溫度對傳導的影響(傳導率和熱阻);額外的外部效應(霍爾和塞貝克/珀耳帖效應)。
3、固體的現(xiàn)代模型:固體的能帶理論(周期勢中的電子和空穴);有效質量和態(tài)密度;費米能量、電離勢和功函數(shù)。
4、半導體:k空間中的能量圖(直接和間接帶隙);半導體中的傳導(電子/空穴數(shù)量);本征/非本征半導體(n型、p型、補償摻雜);電導率的溫度和雜質依賴性(漂移遷移率)。
5、半導體器件:p-n、p-i-n結(正向/反向偏置、耗盡和電容);雙極和FET器件;光學設備(發(fā)光二極管、光伏電池等)。
二、學習目標
1、描述不同類型的固體(金屬,半導體,絕緣體),結合和晶體結構。
2、描述固體中不同類型的傳導,并解釋溫度如何影響這種傳導。
3、畫出不同類型固體的能帶圖,包括n型和p型摻雜半導體。
4、計算摻雜半導體中的電子/空穴濃度和費米能量。
5、解釋p-n/p-i-n結如何在正向和反向偏壓下工作,并描述其在MOSFET和BJT器件中的應用。
6、計算內建電勢、耗盡寬度、pn結中的擴散電流和BJT中的發(fā)射極/基極/集電極電流。
同學可以將上述內容作為曼徹斯特大學EEE專業(yè)EEEN10021課程的整體知識框架,來安排和規(guī)劃學習。
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