EUV（極紫外線）光掩模的制作是一個復雜的過程，涉及到多個步驟，主要包括：

掩模坯準備

掩模坯由襯底、反射多層、覆蓋層、吸收劑層和硬掩模層組成。

襯底通常由高純度的石英制成。

反射多層用于反射EUV光，通常由鉬和硅的交替層構(gòu)成。

覆蓋層保護反射多層不受損傷。

吸收劑層用于吸收EUV光，通常由鉭氮化物（TaN）或硅基材料構(gòu)成。

硬掩模層用于保護吸收劑層，通常由硅或硅氧化物構(gòu)成。

粘合層形成

在掩模坯上方形成一層粘合層，用于固定光致抗蝕劑。

光致抗蝕劑圖案化

在粘合層上方形成一層光致抗蝕劑。

使用曝光和顯影技術(shù)對光致抗蝕劑進行圖案化，形成所需的圖形。

圖案化粘合層和硬掩模層

使用圖案化的光致抗蝕劑作為掩模，對粘合層進行圖案化。

同樣，使用圖案化的光致抗蝕劑對硬掩模層進行圖案化。

吸收劑層圖案化

使用圖案化的硬掩模層作為刻蝕掩模，對吸收劑層進行圖案化。

硬掩模層去除

圖案化完成后，去除硬掩模層。

最終檢驗

對掩模進行最終檢驗，確保圖案的準確性和質(zhì)量。

在整個過程中，需要注意的是，光致抗蝕劑層對粘合層的粘附性要高于對硬掩模層的粘附性，這是為了保證在后續(xù)的刻蝕過程中，吸收劑層能夠被正確地轉(zhuǎn)移圖案到襯底上。